El hexafluoruro de azufre es un gas con excelentes propiedades aislantes y se usa a menudo en transformadores y extinción de arcos de alto voltaje, líneas de transmisión de alto voltaje, transformadores, etc. Sin embargo, además de estas funciones, el hexafluoruro de azufre también se puede usar como grabador electrónico. .El hexafluoruro de azufre de alta pureza de grado electrónico es un grabador electrónico ideal, que se usa ampliamente en el campo de la tecnología microelectrónica.Hoy, el editor de gas especial de Niu Ruide, Yueyue, presentará la aplicación de hexafluoruro de azufre en el grabado con nitruro de silicio y la influencia de diferentes parámetros.
Discutimos el proceso de grabado de plasma SF6 SiNx, incluido el cambio de la potencia del plasma, la proporción de gas de SF6/He y la adición del gas catiónico O2, discutiendo su influencia en la tasa de grabado de la capa de protección del elemento SiNx de TFT y el uso de radiación de plasma. El espectrómetro analiza los cambios de concentración de cada especie en plasma SF6/He, SF6/He/O2 y la tasa de disociación de SF6, y explora la relación entre el cambio de la tasa de grabado de SiNx y la concentración de especies de plasma.
Los estudios han encontrado que cuando aumenta la potencia del plasma, aumenta la tasa de grabado;si se aumenta la tasa de flujo de SF6 en el plasma, la concentración de átomos de F aumenta y se correlaciona positivamente con la tasa de grabado.Además, después de agregar el gas catiónico O2 bajo la velocidad de flujo total fija, tendrá el efecto de aumentar la velocidad de grabado, pero bajo diferentes relaciones de flujo de O2/SF6, habrá diferentes mecanismos de reacción, que se pueden dividir en tres partes. : (1 ) La relación de flujo O2/SF6 es muy pequeña, el O2 puede ayudar a la disociación del SF6 y la tasa de grabado en este momento es mayor que cuando no se agrega O2.(2) Cuando la relación de flujo de O2/SF6 es mayor de 0,2 al intervalo que se aproxima a 1, en este momento, debido a la gran cantidad de disociación de SF6 para formar átomos de F, la tasa de grabado es la más alta;pero al mismo tiempo, los átomos de O en el plasma también están aumentando y es fácil formar SiOx o SiNxO(yx) con la superficie de la película de SiNx, y cuanto más aumentan los átomos de O, más difíciles serán los átomos de F para el reacción de grabado.Por lo tanto, la velocidad de grabado comienza a disminuir cuando la relación O2/SF6 está cerca de 1. (3) Cuando la relación O2/SF6 es mayor que 1, la velocidad de grabado disminuye.Debido al gran aumento de O2, los átomos de F disociados chocan con O2 y forman OF, lo que reduce la concentración de átomos de F, lo que da como resultado una disminución en la tasa de grabado.De esto puede verse que cuando se añade O2, la relación de flujo de O2/SF6 está entre 0,2 y 0,8, y se puede obtener la mejor tasa de ataque químico.
Hora de publicación: 06-dic-2021
