La tecnología de grabado seco es uno de los procesos clave. El gas de grabado seco es un material clave en la fabricación de semiconductores y una importante fuente de gas para el grabado de plasma. Su rendimiento afecta directamente la calidad y el rendimiento del producto final. Este artículo comparte principalmente cuáles son los gases de grabado comúnmente utilizados en el proceso de grabado en seco.
Gases a base de flúor: comoTetrafluoruro de carbono (CF4), hexafluoroetano (C2F6), trifluorometano (CHF3) y perfluoropropano (C3F8). Estos gases pueden generar efectivamente fluoruros volátiles al grabar compuestos de silicio y silicio, lo que logran la eliminación del material.
Gases a base de cloro: como el cloro (CL2),tricloruro de boro (BCL3)y tetracloruro de silicio (SICL4). Los gases a base de cloro pueden proporcionar iones de cloruro durante el proceso de grabado, lo que ayuda a mejorar la tasa de grabado y la selectividad.
Gases a base de bromo: como bromo (BR2) y yoduro de bromo (IBR). Los gases a base de bromo pueden proporcionar un mejor rendimiento de grabado en ciertos procesos de grabado, especialmente cuando se graban materiales duros como el carburo de silicio.
Gases a base de nitrógeno y a base de oxígeno: como el trifluoruro de nitrógeno (NF3) y el oxígeno (O2). Estos gases generalmente se usan para ajustar las condiciones de reacción en el proceso de grabado para mejorar la selectividad y la direccionalidad del grabado.
Estos gases logran un grabado preciso de la superficie del material a través de una combinación de pulverización física y reacciones químicas durante el grabado en plasma. La elección del gas de grabado depende del tipo de material que se grabe, los requisitos de selectividad del grabado y la tasa de grabado deseada.
Tiempo de publicación: febrero-08-2025
