La tecnología de grabado en seco es uno de los procesos clave. El gas de grabado en seco es un material clave en la fabricación de semiconductores y una fuente importante de gas para el grabado por plasma. Su rendimiento afecta directamente la calidad y el rendimiento del producto final. Este artículo describe principalmente los gases de grabado más utilizados en el proceso de grabado en seco.
Gases a base de flúor: comotetrafluoruro de carbono (CF4)Hexafluoroetano (C₂F₆), trifluorometano (CHF₃) y perfluoropropano (C₃F₆). Estos gases pueden generar fluoruros volátiles de forma eficaz al grabar silicio y compuestos de silicio, logrando así la eliminación de material.
Gases a base de cloro: como el cloro (Cl2),tricloruro de boro (BCl3)y tetracloruro de silicio (SiCl₄). Los gases a base de cloro pueden aportar iones cloruro durante el proceso de grabado, lo que ayuda a mejorar la velocidad y la selectividad del grabado.
Gases a base de bromo: como el bromo (Br₂) y el yoduro de bromo (IBr). Los gases a base de bromo pueden proporcionar un mejor rendimiento de grabado en ciertos procesos, especialmente al grabar materiales duros como el carburo de silicio.
Gases nitrogenados y oxigenados, como el trifluoruro de nitrógeno (NF₃) y el oxígeno (O₂). Estos gases se utilizan habitualmente para ajustar las condiciones de reacción en el proceso de grabado y mejorar la selectividad y la direccionalidad del grabado.
Estos gases logran un grabado preciso de la superficie del material mediante una combinación de pulverización catódica física y reacciones químicas durante el grabado por plasma. La elección del gas de grabado depende del tipo de material a grabar, los requisitos de selectividad del grabado y la velocidad de grabado deseada.
Hora de publicación: 08-feb-2025
