La industria de semiconductores y la de paneles de nuestro país mantienen un alto nivel de prosperidad. El trifluoruro de nitrógeno, como gas electrónico especial indispensable y de mayor volumen en la producción y el procesamiento de paneles y semiconductores, cuenta con un amplio mercado.
Los gases electrónicos especiales que contienen flúor de uso común incluyen:hexafluoruro de azufre (SF6), hexafluoruro de tungsteno (WF6),tetrafluoruro de carbono (CF4)trifluorometano (CHF3), trifluoruro de nitrógeno (NF3), hexafluoroetano (C2F6) y octafluoropropano (C3F8). El trifluoruro de nitrógeno (NF3) se utiliza principalmente como fuente de flúor para láseres químicos de alta energía de fluoruro de hidrógeno-fluoruro. La parte efectiva (alrededor del 25%) de la energía de reacción entre H2-O2 y F2 puede liberarse mediante radiación láser, por lo que los láseres HF-OF son los más prometedores entre los láseres químicos.
El trifluoruro de nitrógeno es un excelente gas de grabado por plasma en la industria microelectrónica. Para el grabado de silicio y nitruro de silicio, el trifluoruro de nitrógeno presenta una mayor velocidad y selectividad de grabado que el tetrafluoruro de carbono y una mezcla de tetrafluoruro de carbono y oxígeno, sin contaminar la superficie. En particular, para el grabado de materiales de circuitos integrados con un espesor inferior a 1,5 µm, el trifluoruro de nitrógeno ofrece una velocidad y selectividad de grabado excepcionales, sin dejar residuos en la superficie del objeto grabado, y además es un excelente agente de limpieza. Con el desarrollo de la nanotecnología y el crecimiento a gran escala de la industria electrónica, su demanda aumentará día a día.
El trifluoruro de nitrógeno (NF3), un gas especial que contiene flúor, es el gas electrónico más utilizado en el mercado. Es químicamente inerte a temperatura ambiente, más reactivo que el oxígeno, más estable que el flúor y fácil de manipular a altas temperaturas.
El trifluoruro de nitrógeno se utiliza principalmente como gas de grabado por plasma y agente de limpieza de la cámara de reacción, siendo adecuado para campos de fabricación como chips semiconductores, pantallas planas, fibras ópticas, células fotovoltaicas, etc.
En comparación con otros gases electrónicos que contienen flúor, el trifluoruro de nitrógeno presenta las ventajas de una reacción rápida y una alta eficiencia, especialmente en el grabado de materiales que contienen silicio, como el nitruro de silicio. Posee una alta velocidad de grabado y selectividad, sin dejar residuos en la superficie del objeto grabado, y además es un excelente agente de limpieza, no contamina la superficie y satisface las necesidades del proceso de fabricación.
Fecha de publicación: 26 de diciembre de 2024
